爱说车_逆变器工作原理(逆变器工作原理图解)

逆变器工作原理(逆变器工作原理图解)

更新时间:2022-09-23 08:47 出处:网络

1.直流电可以通过震荡电路变为交流电

2.得到的交流电再通过线圈升压(这时得到的是方形波的交流电)

3.对得到的交流电进行整流得到正弦波

AC-DC就比较简单了 我们知道二极管有单向导电性

可以用二极管的这一特性连成一个电桥

让一端始终是流入的 另一端始终是流出的这就得到了电压正弦变化的直流电 如果需要平滑的直流电还需要进行整流 简单的方法就是连接一个电容Inverter是一种DC to AC的变压器。它其实与Adapter是一种电压逆变的过程。Adapter是将市电电网的交流电压转变为稳定的12V直流输出。而Inverter是将Adapter输出的12V直流电压转变为高频的高压交流电;两个部分同样都采用了目前用得比较多的脉宽调制(PWM)技术。其核心部分都是一个PWM集成控制器。Adapter用的是UC3842。Inverter则采用TL5001芯片。TL5001的工作电压范围3.6~40V。其内部设有一个误差放大器。一个调节器。振荡器。有死区控制的PWM发生器。低压保护回路及短路保护回路等。

以下将对Inverter的工作原理进行简要介绍:

输入接口部分:

输入部分有3个信号。12V直流输入VIN。工作使能电压ENB及Panel电流控制信号DIM。VIN由Adapter提供。ENB电压由主板上的MCU提供。其值为0或3V。当ENB=0时。Inverter不工作。而ENB=3V时。Inverter处于正常工作状态;而DIM电压由主板提供。其变化范围在0~5V之间。将不同的DIM值反馈给PWM控制器反馈端。Inverter向负载提供的电流也将不同。DIM值越小。Inverter输出的电流就越大。

电压启动回路:

ENB为高电平时。输出高压去点亮Panel的背光灯灯管。

PWM控制器:

有以下几个功能组成:内部参考电压。误差放大器。振荡器和PWM。过压保护。欠压保护。短路保护。输出晶体管。

直流变换:

由MOS开关管和储能电感组成电压变换电路。输入的脉冲经过推挽放大器放大后驱动MOS管做开关动作。使得直流电压对电感进行充放电。这样电感的另一端就能得到交流电压。

LC振荡及输出回路:

保证灯管启动需要的1600V电压。并在灯管启动以后将电压降至800V。

输出电压反馈:

当负载工作时。反馈采样电压。起到稳定Inventer电压输出的作用。

其实你可以想象一下了.都有那些电子元件需要正负极。电阻。电感一般不需要.二极管一般坏的可能就是被击穿只要电压正常一般是没有问题的。三极管的话是不会导通的.稳压管如果正负接反的话就会损坏了。但一般有的电路加了保护就是利用二极管的单向导通来保护.在就是电容了。电容里有正负之分的就是电解电容了。如果正负接反严重的话其外壳发生爆裂.

主要元件二极管.开关管振荡变压器.取样.调宽管.还有振荡回路电阻电容等参开关电路原理.

逆变器的主功率元件的选择至关重要。目前使用较多的功率元件有达林顿功率晶体管(BJT)。功率场效应管(MOSFET)。绝缘栅晶体管(IGBT)和可关 断晶闸管(GTO)等。在小容量低压系统中使用较多的器件为MOSFET。因为MOSFET具有较低的通态压降和较高的开关频率。在高压大容量系统中一般 均采用IGBT模块。这是因为MOSFET随着电压的升高其通态电阻也随之增大。而IGBT在中容量系统中占有较大的优势。而在特大容量(100KVA以 上)系统中。一般均采用GTO作为功率元件

大件:场效应管或IGBT。变压器。电容。二极管。比较器以及3525之类的主控。交直交逆变还有整流滤波。

功率大小和精度。关系着电路的复杂程度。

可以看一下手机充电器。这就是一个小开关电源!

IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为新型电力半导体场控自关断器件。集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体。具有输入阻抗高。电压控制功耗低。控制电路简单。耐高压。承受电流大等特性。在各种电力变换中获得极广泛的应用。与此同时。各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压。大电流。高速。低饱和压降。高可靠性。低成本技术。主要采用1um以下制作工艺。研制开发取得一些新进展。

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